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  Micron美光宣布1β(1-beta)制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb 容量版本的 DDR5 內(nèi)存。美光 1β DDR5 DRAM 在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá) 7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨?；?1β 節(jié)點的美光 DDR5 內(nèi)存采用先進的 High-K CMOS 器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)1，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá) 50%2，每瓦性能提升 33%3。

  隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，系統(tǒng)對更高的內(nèi)存帶寬與容量的需求也顯著增長，從而在應(yīng)對“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時優(yōu)化客戶的總體擁有成本。美光 1β DDR5 DRAM 支持計算能力向更高的性能擴展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能(AI)訓(xùn)練和推理、生成式 AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMDB)等應(yīng)用。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供速率從 4,800 MT/s 到 7,200 MT/s 的現(xiàn)有模塊密度，能夠滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端的應(yīng)用需求。

美光核心計算設(shè)計工程部門企業(yè)副總裁 Brian Callaway 表示：面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺的 1β DDR5 DRAM 量產(chǎn)及出貨，標(biāo)志著行業(yè)的一個重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及客戶緊密合作，將推動高性能內(nèi)存產(chǎn)品的市場普及。

  美光的 1β 技術(shù)已應(yīng)用至公司廣泛的內(nèi)存解決方案，包括：

  ●采用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 裸片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM;

  ●采用 16Gb 和 24Gb DRAM 裸片的 LPDDR5X;

●HBM3E 和 GDDR7。

  行業(yè)引語

  華碩消費性產(chǎn)品事業(yè)處協(xié)理陳奕彰表示：華碩是消費類和游戲應(yīng)用領(lǐng)域高性能筆記本電腦的領(lǐng)導(dǎo)廠商。內(nèi)存子系統(tǒng)向 DDR5 過渡是華碩重點關(guān)注的領(lǐng)域。我們很高興推出搭載美光 1β DDR5 內(nèi)存的華碩和 ROG 筆記本電腦，從而為客戶提供卓越的用戶體驗。

  Ampere Computing 首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 表示：Ampere 的云原生處理器搭載美光領(lǐng)先的 1β DDR5 提供了一流的計算解決方案，能夠滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的性能、可擴展性和功耗需求。在 AmpereOne? 平臺上使用速率高 7,200MT/s 的美光 1β DDR5，將持續(xù)推動人工智能、機器學(xué)習(xí)和所有高性能計算應(yīng)用的發(fā)展。

Cadence 高級副總裁兼 IP 事業(yè)部總經(jīng)理 Boyd Phelps 表示：我們很高興與美光合作，利用我們業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5、LPDDR5X、GDDR6 和 HBM3 IP 系統(tǒng)解決方案搭配美光先進的內(nèi)存產(chǎn)品組合，為針對特定應(yīng)用進行優(yōu)化的下一代平臺提供支持。通過搭載美光先進的 1β DDR5 內(nèi)存，我們評估和驗證了高性能 DDR5 IP 速率可高達(dá) 7,200MT/s。

  1 JEDEC 可選的 SRX/NOP 時鐘同步(CLK_SYNC)功能旨在減輕美光 1βnm 器件支持的四相時鐘架構(gòu)中主處理器與 DRAM 之間的工作周期失真效應(yīng)。

  2 基于理論最大帶寬，器件級性能提升為(7200-4800)/4800。

  3 每瓦性能(理論最大帶寬，器件級)：Y52K 7200MT/s 與 Y32A 4800MT/s。根據(jù)預(yù)測的 Gstress 總線利用率 7200MT/s(58%)計算，并在 SPR E-step 系統(tǒng)中測量。