h1_key

  美光近期宣布批量出貨基于目前世界上最為先進的 DRAM 制程技術的內存芯片。該制程技術有一個神秘的名字“1α”(1-alpha)。這個名字有何含義?這項技術有多神奇?

  芯片制造的歷史始終圍繞著一個主題，那就是縮小電路尺寸，從而在一塊芯片上集成更多的晶體管或內存單元。六十年前，第一塊芯片上的晶體管等組件光憑肉眼就能看到。而現(xiàn)在，這些同類組件的尺寸只有幾納米，縮小到以前的十億分之一!

  晶體管越小，開關速度就更快，功耗更低，如果只考慮規(guī)模經濟這一因素，制造成本自然更低。這在我們最新的技術節(jié)點(也是目前世界上最為先進的技術節(jié)點)也不例外。它在性能、功耗和制造成本方面實現(xiàn)了重大提升。

  想象一下，如果汽車行業(yè)也能實現(xiàn)相同程度的改進，那么現(xiàn)在駕駛的汽車就能在眨眼間實現(xiàn) 0 到 60 英里/小時的加速，并且只需幾滴燃油便可繞地球飛馳一圈。

  芯片的制造很復雜。制作現(xiàn)代芯片需要一千多道獨立的工序和測量步驟，所有這些步驟都必須絲毫不差地完成。這些步驟要在數(shù)百家專業(yè)公司制造的機器(稱為“工具”)上執(zhí)行，所用材料為超純材料，而且需要在巨大的潔凈室內開展，室內空氣微粒數(shù)量比月球空氣中的還要少。

  由于這種復雜性，芯片制造行業(yè)通常在各節(jié)點間遵循類似的規(guī)律。我們稱之為一個一個的“節(jié)點”，采用芯片上的最小特征來代指。例如，在本世紀初，我們進入了 180 納米節(jié)點。大約十年前，我們實現(xiàn)了 22 納米節(jié)點。

  但是幾年前，內存行業(yè)內發(fā)生了一件有趣的事情。我們不再談論確切的數(shù)字，而是開始使用1x、1y和1z等說法。特別是對于DRAM，節(jié)點的名稱通常對應內存單元陣列中有效區(qū)域的一半間距(“半間距”)的尺寸。至于 1α，您可以將其視為 10 納米類的第四代產品，其半間距范圍為 10 納米至 19 納米。當我們從 1x 納米變?yōu)?1y、1z 和 1α 時，尺寸變得越來越小。最開始，我們采用 1x 的形式命名，但是隨著我們不斷縮小尺寸并需要命名下一個節(jié)點，最后用盡了羅馬字母表中的所有字母，這就是我們開始使用 alpha、beta、gamma 等希臘字母的原因。

  關注尺寸

  我們在這里談論的尺寸到底有多小?直徑為 300 毫米的硅晶圓可一次制造出數(shù)百個芯片。每個芯片或“Die”大約只有指甲大小?，F(xiàn)在想象一下，一個 Die 被放大成了一座足球場那么大。

  伸手拔起一根草，將這根草切成兩半，再切成兩半，再切成兩半。這就相當于一個晶體管了，也就是一塊普通內存芯片的 80 億個存儲位中一個存儲位。

  光刻的局限性

  盡管令人驚訝，但半導體行業(yè)數(shù)十年來一直在做一件事情，即每年或每兩年縮小一次設備尺寸。這是我們比較擅長的。確實，我們知道如何疊放僅有一個原子厚的材料膜，而我們蝕刻(選擇性去除)材料的能力也不差。所以，現(xiàn)在改變的是什么?

  也許最困難的挑戰(zhàn)就是在晶圓上設定電路圖案了。其中的第一部分稱為光刻(用光在石頭上寫字!)。這與數(shù)字攝影誕生前的相片沖洗過程類似，在這一過程中，光線通過小而透明底片照到感光紙上。而我們使用的是公共汽車大小的機器，通過置于透明正方形石英上的圖案(稱為光掩膜)，發(fā)出深紫外線，但是原理與沖洗相片是一樣的。

  我們面臨一個物理學難題。因為瑞利準則或衍射極限的存在，無法投射出小于所用光波長一半的特征圖像，不可能創(chuàng)造出足夠清晰的光束來準確地處理圖案。我們目前所用的光束波長為 193 納米，遠短于衍射極限。簡單來說(物理學家聽了可能會不可置信)，這就像試著用 4 英寸的油漆刷寫 10 磅的文字。

  一種新型的光刻工具采用波長為 13.5 納米的較小極紫外光 (EUV)，但由于一些復雜的原因，我們認為尚未到達應用該項工具的理想時間。原因之一是波長太短，光線無法穿過玻璃，因此傳統(tǒng)的光學透鏡無法工作。十五年前，大家認為 EUV 光刻技術已做好準備迎接 32 納米節(jié)點。EUV 應用的時機將會到來，但它并不是適合美光 1α 的解決方案。

  繞過瑞利準則

  我們采用多種技術繞開衍射極限。首先，我們修改了光掩膜上的圖案，試圖“欺騙”光線并成功刻出清晰的小尺寸特征。這種先進技術稱為計算光刻，利用大量處理能力從晶圓上的期望圖案逆向工程掩膜圖案。

  第二種方法是利用水衍射的光少于空氣衍射的光這一事實，將晶圓放在水中進行處理!這種方法可能聽起并不高深。但實際上，我們將最終透鏡和晶圓表面之間的空氣間隙換成了一滴水。利用這種方法，我們將光束波長縮小到 40 納米以下。這是一項巨大的改進，無法輕松順利地一蹴而就，而是需要大量的合作工程工作才能實現(xiàn)。

  多重圖樣的魔力

  分辨率問題的解決方案是添加一系列非光刻步驟，以將一個“大”特征先神奇地轉化為兩個特征，然后是四個特征，每個特征都是原始特征的四分之一。實話實說，這種方案真的很棒。我們可以同時采用許多不同的方法來完成此項工作，但是我要指出的是，由于?Gurtej Singh Sandhu的開創(chuàng)性工作，美光在 2007 年就已經率先采用雙圖樣方法開發(fā)閃存。Gurtej Singh Sandhu 現(xiàn)為美光尋路(pathfinding)小組的資深成員(這個小組僅有四名成員)。

  簡單來說，這種方法的基本理念就是使用步進式光刻機創(chuàng)建犧牲特征，用其他材料覆蓋這些特征的側面，然后去除原始的犧牲特征。這樣一來，我們就獲得了兩個一半大小的特征!重復這個流程，我們就能獲得四個 1α 所需大小的特征。更多相關詳細信息，請參見圖表1。

  沖洗然后重復

  現(xiàn)在我們知道，我們可以準確地刻出所需微小特征的圖案，但是距離完成一個完整的顆粒還有很長的路要走，更不用說大批量生產了。我們只是簡要介紹了一層的特征，而每個芯片都有幾十層。我們引以為傲的一點是，我們能夠精確地將新一層與之前的層對齊(我們稱之為“疊加”)。準確無誤地進行疊加是順利完成整個過程的關鍵。

  然后，我們應將圖案轉變?yōu)榘l(fā)揮功能的電路設備，例如控制讀寫數(shù)據(jù)的晶體管以及可以存儲代表 1 和 0 電荷的細長電容器。這一過程意味著精確控制材料成分以及這些材料的機械和電氣性質，并且每一次都要保持完全相同。

  我們不僅整合了自身的創(chuàng)新技術，還利用了供應商合作伙伴的先進成果。我們在各個領域都集成了先進的新技術：新材料(如更好的導體和更好的絕緣體)以及用于沉積、修改或選擇性去除或蝕刻這些材料的新機器。諸如此類不一而足，這些都需要整體協(xié)同合作。

  我們已將美光的制造工廠(稱為“晶圓廠”)開發(fā)成為人工智能驅動的高度自動化的工廠。正如我前面提到的，制造現(xiàn)代化芯片需要一千多個步驟，要在工廠內移動數(shù)百英里，而且每一步必須完美。

  半導體制造不同于汽車制造。你無法返回去修復之前流程中出現(xiàn)的缺陷。任何缺陷實際上都隱藏在之后的層下面。成功的關鍵在于數(shù)據(jù)，以及從數(shù)據(jù)中獲得的洞察。成千上萬個傳感器將海量數(shù)據(jù)傳送到我們 10PB 的制造執(zhí)行系統(tǒng)。我們每天通過檢查系統(tǒng)輸入超過一百萬張圖像，并利用深度學習技術，在問題發(fā)生之前發(fā)現(xiàn)問題。芯片制造也許是地球上最復雜的人類任務了。

  我們是如何做到的?

  美光的工程團隊是如何能夠達成 1α 節(jié)點，并在創(chuàng)紀錄的時間內取得行業(yè)前沿的地位?部分原因在于，美光擁有數(shù)以萬計的工程師和科學家。

  這歸功于從技術開發(fā)、設計、產品和測試工程，再到制造和質量等學科之間的協(xié)作。這也證明了我們團隊成員在長期 “全力以赴”模式下的熱情和堅韌，正是這種熱情和堅韌造就了美光在 DRAM 技術領域的前沿地位。

  我為這支團隊感到驕傲，也為自己身為團隊一員而感到自豪。