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  Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后 Nexperia 將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能 SiC MOSFET 的需求。

  Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼 SiC 產(chǎn)品部主管 Katrin Feurle 表示：Nexperia 和三菱電機(jī)希望通過(guò)這兩款首發(fā)產(chǎn)品為市場(chǎng)帶來(lái)真正的創(chuàng)新，這個(gè)市場(chǎng)一直渴望更多的寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia 現(xiàn)可提供 SiC MOSFET 器件，這些器件在多個(gè)參數(shù)上都具有一流的性能，例如超高的 RDS(on) 溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量 SiC MOSFET 的開篇之作。毫無(wú)疑問，在未來(lái)幾年里，我們將共同推動(dòng) SiC 器件性能的發(fā)展。

  三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級(jí)總經(jīng)理 Toru Iwagami 表示：

  我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專業(yè)知識(shí)，我們的器件實(shí)現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。

  RDS(on) 會(huì)影響傳導(dǎo)功率損耗，是 SiC MOSFET 的關(guān)鍵性能參數(shù)。Nexperia 認(rèn)為這是目前市場(chǎng)上許多 SiC 器件性能的限制因素。但是通過(guò)創(chuàng)新工藝技術(shù)，Nexperia 的首款 SiC MOSFET 實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on) 的標(biāo)稱值僅增加 38%。這與市場(chǎng)上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

  Nexperia SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低，由此可實(shí)現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。此外，Nexperia 通過(guò)平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進(jìn)一步提高了器件對(duì)寄生導(dǎo)通的抗擾度。

  除了正溫度系數(shù)外，Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th) 閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯(lián)工作時(shí)，在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)條件下都能實(shí)現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。

  Nexperia 未來(lái)還計(jì)劃推出車規(guī)級(jí) MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。