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  近日，功率芯片龍頭企業(yè)英飛凌宣布，以8.3億美元收購氮化鎵功率半導體制造商GaN Systems，意在加強其氮化鎵產(chǎn)品組合，進一步鞏固英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的地位。目前，雙方已簽署最終協(xié)議。

  GaN Systems成立于2008年，總部位于加拿大渥太華，是一家無晶圓廠半導體公司，該公司開發(fā)了適用于各種市場的全套氮化鎵功率轉(zhuǎn)化器件。GaN Systems獨有的專利技術(shù)IslandTechnology®使其比同類產(chǎn)品更小、更高效，且同時克服了成本、性能以及可制造性的挑戰(zhàn)。

  氮化鎵是一種寬禁帶材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中能夠發(fā)揮重要作用。憑借低能耗和小型化的優(yōu)勢，氮化鎵器件的適用范圍極廣。據(jù)市場分析機構(gòu)預測，氮化鎵器件為功率應(yīng)用創(chuàng)造的收入將以 56% 的復合年增長率(CAGR)增長，到 2027 年將達到 20 億美元左右(信息來源：Yole，《復合半導體市場監(jiān)測》2022 年第四季度)。因此，氮化鎵連同硅和碳化硅一起，配合混合反激(Hybrid Flyback)和多級實施等新型拓撲結(jié)構(gòu)，正逐漸成為制造功率半導體的關(guān)鍵材料。