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長電科技DDR5滲透率快速提升速更快
2023-01-14 661次

長電科技DDR5滲透率快速提升速更快


  5G高速網(wǎng)絡、云端服務器、智能汽車等領域對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務器、數(shù)據(jù)中心等領域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢,給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性,市場前景廣闊。高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),將依托自身的技術與服務優(yōu)勢為國內外客戶提供高性價比和高可靠性的解決方案。

  反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升,對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延,以及更短互連等要求。

  為此,長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術,實現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲密度性能,滿足市場的需求。芯片2.5D/3D封裝是在三維方向上將多個芯片堆疊起來,實現(xiàn)芯片間的低功耗、高速通訊,增加帶寬和器件集成的小型化,使芯片產(chǎn)品在擁有高存儲密度的同時降低其封裝成本。

  同時,長電科技在圓片磨劃、封裝工藝、潔凈度控制等環(huán)節(jié)擁有一整套成熟的技術和先進的設備支持,多芯片堆疊技術管控能力達到業(yè)內領先水平;在測試環(huán)節(jié)擁有先進的測試系統(tǒng)和能力,可向客戶提供全套測試平臺和工程服務。


長電科技DDR5滲透率快速提升速更快


  長電科技的工藝能力可以實現(xiàn)16層芯片的堆疊,單層芯片厚度為35um,封裝厚度為1mm左右。作為全球領先的半導體微系統(tǒng)集成和芯片成品制造服務提供商,長電科技在存儲芯片領域已積累近20年的成品制造和量產(chǎn)經(jīng)驗,與國內外存儲類產(chǎn)品廠商之間形成廣泛的合作,包括DDR在內各類存儲產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn),穩(wěn)定的制程能力和產(chǎn)品品質贏得了國內外客戶好評。

  長電科技表示,隨著PC端、服務器端、以及消費端等領域對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升,市場對DDR5的需求有望加速釋放,為集成電路封測帶來新機遇。依托一流的工藝能力、品質管控能力和成熟的供應鏈體系,長電科技可為客戶確保高成品率的同時縮短產(chǎn)品交期,幫助客戶以更低的成本實現(xiàn)更優(yōu)的解決方案。未來,長電科技將保持對領先技術的不懈追求,不斷加強與客戶協(xié)同合作實現(xiàn)與客戶的共同成長。

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    2023-10-23 361次
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    2023-01-14 674次

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