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英飛凌與美超微通力協(xié)作,提高數(shù)據(jù)中心的電能效用,實現(xiàn)更高的能源利用效率
2022-11-18 657次

  目前約有8000座數(shù)據(jù)中心正在對這一巨大的數(shù)據(jù)量進(jìn)行處理、存儲和連接。對這些數(shù)據(jù)中心而言,除性能與安全之外,能效的優(yōu)化對其保持盈利能力和實現(xiàn)可持續(xù)性也同樣至關(guān)重要。

  云、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、存儲和5G/邊緣整體IT方案供應(yīng)商美超微電腦股份有限公司與英飛凌科技股份公司展開協(xié)作,利用英飛凌的高效率功率級半導(dǎo)體產(chǎn)品,以滿足以上要求并實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的低碳化。美超微服務(wù)器技術(shù)副總裁Manhtien Phan表示:“在開發(fā)綠色計算平臺時,我們會著重選擇與自身同樣重視通過優(yōu)化能效以減少耗電量的廠商。美超微的解決方案與英飛凌的技術(shù)結(jié)合,可減少系統(tǒng)功耗,降低數(shù)據(jù)中心的總體耗電量,最大程度地減少對環(huán)境的影響。”

  英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示:“冷卻系統(tǒng)的能耗占據(jù)了數(shù)據(jù)中心總體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節(jié)能型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品十分適用于減少數(shù)據(jù)中心的散熱問題。這類半導(dǎo)體產(chǎn)品可耐高溫并具備出色的可靠性,可助力服務(wù)器依靠自然空氣冷卻。使用這類半導(dǎo)體產(chǎn)品能幫助客戶進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的電能效用,實現(xiàn)更高的能源利用效率?!?/span>


  英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White


  電源使用效率(PUE)的計算方式是將輸送到數(shù)據(jù)中心的總功率除以IT設(shè)備實際消耗的功率。理想的PUE值是1.0,即數(shù)據(jù)中心的全部電能都用于實際的計算設(shè)備中,而不是用于冷卻或電力轉(zhuǎn)換等間接設(shè)備。最新的研究表明,IT和數(shù)據(jù)中心經(jīng)理均表示其最大的數(shù)據(jù)中心的年平均PUE值為1.57,這項數(shù)據(jù)表明,面對超出預(yù)算的冷卻和電力成本,PUE仍有改進(jìn)的空間,同時二氧化碳排放量有望進(jìn)一步降低。

  美超微的綠色計算平臺可顯著改善PUE。具體而言,美超微MicroBlade®系列可為各種類型的處理器提供最佳的服務(wù)器密度,最多可在6U尺寸內(nèi)集成112個單路Atom®節(jié)點、56個單路Xeon®節(jié)點以及28個雙路Xeon®節(jié)點,因此可以輕松進(jìn)行大規(guī)模部署,并通過自然空氣冷卻、電池備份電源(BBP®)等數(shù)據(jù)中心友好型功能和設(shè)計進(jìn)行批量配置。與標(biāo)準(zhǔn)的1U機(jī)架式服務(wù)器相比,MicroBlade最高可提升86%的功率效率與56%的服務(wù)器密度。



 MicroBlade 6U

  MicroBlade服務(wù)器采用英飛凌的OptiMOS?集成式功率級半導(dǎo)體TDA2149和TDA21535。TDA21490可助力服務(wù)器、存儲器、人工智能和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的高性能xPU、ASIC和系統(tǒng)級芯片(SoC)實現(xiàn)穩(wěn)健、可靠的穩(wěn)壓器設(shè)計。TDA21490 采用高熱效封裝的 OptiMOS? 功率 MOSFET,具有同類產(chǎn)品中最佳的效率。低靜態(tài)電流驅(qū)動器可啟用深睡眠模式,進(jìn)一步提高輕載效率,還可以提供精準(zhǔn)的電流感測,有助于大幅提升系統(tǒng)性能。除了強(qiáng)大的OptiMOS? MOSFET技術(shù)外,TDA21490的綜合故障保護(hù)功能可進(jìn)一步增強(qiáng)其所在系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。



  英飛凌OptiMOS?集成式功率級半導(dǎo)體TDA21490

  TDA21535同時封裝了低靜態(tài)電流的同步降壓柵級驅(qū)動IC與高邊、低邊MOSFET,并采用有源二極管結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了類似肖特基勢壘二極管的體二極管正向電壓(Vsd)低值,反向恢復(fù)電荷極少。與前沿的、基于控制器的感應(yīng)直流電阻測量方法相比,TDA21535中帶有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部MOSFET電流測量算法具有較高的電流測量精度。在高達(dá)1.5兆赫茲的開關(guān)頻率下運(yùn)行,該產(chǎn)品可實現(xiàn)高性能的瞬態(tài)響應(yīng),并且能夠在保持效率領(lǐng)先的同時減少電感和電容。



  英飛凌OptiMOS?集成式功率級半導(dǎo)體TDA21535

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺,能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開發(fā)。通過該平臺,Neutron Controls及其設(shè)計服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開發(fā)工作量。
    2023-10-30 375次
  • 英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 378次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動評估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動器,驅(qū)動六個額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 408次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場
  • 英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動汽車充電站的效率。
    2023-10-12 355次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 430次

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